来自供应链的消息显示，英伟达极有可能成为台积电下一代的A16制程（1.6nm）首个客户，其新一代GPU「Feynman」将有望首发采用。英伟达也是目前唯一传闻将会采用台积电A16制程的厂商。
报道称，英伟达的Rubin与Rubin Ultra系列将率先采用3nm制程，而再下一代Feynman则计划直接升级到A16制程。英伟达的产品路线图显示，Vera Rubin预计于2026年下半年推出、Rubin Ultra落在2027年下半年，Feynman则将于2028年登场。
为配合英伟达的计划，台积电高雄P3厂正加速建设，预计在2027年启动A16制程的量产。近期台积电扩充3nm产能，也被业界解读为是应对英伟达的大量拉货、并提前为A16布局。
据了解，台积电A16制程采用全新的Nanosheet（纳米片）架构，并搭配SPR（Super Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Rail，超导电轨）背面供电技术，可释放更多正面布局空间、提升逻辑密度并降低压降，其背面接面（Backside Contact）也能维持传统版图弹性，是业界首创的背面供电整合方案。相较N2P制程，A16制程在相同功耗下速度可提升8-10%，在相同速度下功耗可降低15-20%，芯片密度也将提高7%-10%。
值得注意的是，除了台积电外，其他晶圆大厂也正加速布局背面供电技术：三星已在今年的晶圆代工论坛宣布，将于2027年量产BSPDN（背面供电网络）制程SF2Z；而英特尔的Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫erVia背面供电构架将使用于2025年底量产的18A制程节点。
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